SGM-T60-1200CVD管式炉是用于CVD或扩散的设备，由以下三个主要组件组成：

1. SGM-T60-12II高温管式炉：该炉型采用60mm直径氧化铝管作为反应室，并支持加热和温度控制。其温度达到1200℃，可进行自动控制，并且具有30步可编程的加热曲线，以满足不同的实验需求。

2. 旋片真空泵：该泵型使用旋转叶片来产生真空，其极限真空可达10^-3 Torr。同时，该泵还配备数字真空计以监测和显示其内部压力。在SGM-T60-1200CVD管式炉中，旋片真空泵用于提供反应室所需的真空环境。

3. 五路气体混合罐：该气体混合罐可安装在底壳上，包括一个浮子流量计和四个精密质量流量计，用于混合1-4种气体，以便进行CVD或扩散实验。

SGM-T60-1200CVD管式炉的三个主要组件协同工作，可以提供一个稳定的高温、低压、合适的气体流动条件的反应环境，以满足CVD或扩散实验的需求。

主要技术技术参数

电炉名称：1200度双温区高温管式炉

电炉型号：SGM-T60-12II

设计温度：1200℃

工作温度：≤1100℃

升温速率：建议0~10℃/min

加热温区：300mm+300mm，双区

炉管尺寸：60/52x1000mm(OD/IDxL)

炉管材质：高纯石英管

加热元件：HRE电阻丝

测温元件：K型热电偶

控温精度：±1℃

加热曲线：30步可编程

温度控制：通过可控硅功率控制进行PID自动控制

真空密封：不锈钢真空法兰。法兰的一端有2个带倒钩的针阀，装有机械压力表。法兰的另一端有一个带倒钩针阀的KF25端口。

设备功率：220V，50Hz，6KW

CVD组件：

管式炉：SGM-T60-12II高温管式炉。

真空泵：旋片真空泵。

气体混合罐：适用于5种气体混合。流量计：一个浮子流量计和四个精密质量流量计。

真空泵：

旋片真空泵极限真空10-3Torr。

管内的真空度约为10-1Torr。

（RM温度和空管条件）

流量：2.6L/S

（泵照片仅供参考，实际外观取决于最终设计）

旋片真空泵将设计成带轮子的推车。带连接附件

包括数字真空计

3.8x10-5至1125Torr测量范围

耐腐蚀，与气体类型无关

五路混气室：

一种气体混合罐（仅适用于5MFC）安装在底壳上，5个不锈钢针阀安装在底壳左侧，用于手动控制5种气体混合。由一个浮子流量计+四个精密质量流量计组成的带液晶触摸屏控制器的质量流量计混气室

MFC精度为：±1.5%FS

MFC1用于氮气：气体流量范围为0~100sccm

氢气MFC2：气体流量范围为0~100sccm

MFC3用于甲烷：气体流量范围0~100sccm

氩气MFC4：气体流量范围0~100sccm

氧气MFC5：气体流量范围0~100sccm

FFC1氩气和氮气混合气体：气体流量范围0~100sccm

CVD管式炉是化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）的一种设备。CVD管式炉主要用于制备高质量、高纯度的薄膜材料，具有以下几个方面的应用：

1、半导体产业：CVD管式炉可以制备用于微电子器件生产的薄膜材料，如二氧化硅、氮化硅、氧化铝等。同时，CVD管式炉还可用于生产LED芯片等光电器件。

2、太阳能电池产业：CVD管式炉可以制备用于太阳能电池的SiN、SiOxNy等材料。

3、机械工业：CVD管式炉可以用于制备涂层材料，如钛氮、钛碳等材料，以提高机械零部件的表面硬度和耐磨性。

4、医疗产业：CVD管式炉可以制备人工骨、人造血管、人造关节等医疗材料。

5、钻石培养：CVD管式炉的应用领域是钻石培养。通过化学气相沉积技术，CVD管式炉可以在基底上制备高质量的人造钻石薄膜。

这种制备方式需要将反应室内加入含有甲烷等碳源气体和氢气等载气体的混合气体，在高温下使其分解并沉积在基底上。通过调节反应条件，可以控制人造钻石薄膜的质量、形貌等性质。

利用CVD管式炉制备的人造钻石薄膜具有许多优点，比如硬度高、导热性好、透明度高等，因此被广泛应用于各种领域，如光学器件、电子器件、切削工具、医疗器械等。

总之，CVD管式炉在半导体、太阳能电池、机械工业和医疗产业中都有广泛的应用前景。

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