碳化硅加热元件电气性质
碳化硅电热元件的电阻
碳化硅电热元件具有较大的比电阻，在空气中加热，元件发热部表面温度达到1050℃左右时，电阻率为600～1400℃/mm2。元件的电阻值随着温度的升高而变化，从室温到800℃为负值、800℃以上为正值特性曲线.
碳化硅加热元件电气性质：
| 气氛 | 炉温 |
表面负 荷（2W/Cm2） |
对元件的影响 | 解决办法 |
|---|---|---|---|---|
| 氨 | 1290°C | 3.8 | 生成甲烷减少SiO2 | 露点激活，保护膜 |
| CO2 | 1450°C | 3.1 | 侵蚀碳化硅 | 用石英管保护 |
| 18%CO | 1500°C | 4.0 | 无影响 | 吸附碳粒影响SiO2保护膜 |
| 20%CO | 1370°C | 3.8 | 吸附碳粒影响SiO2保护膜 | NA |
| 卤素 | 704°C | 3.8 | 侵蚀碳化硅减少SiO2保护膜 | 用石英管保护 |
| 碳氢化合物 | 1310°C | NA | 吸附碳粒致热污染 | 送进充分的空气 |
| 氢 | 1290°C | 3.1 | 生成甲烷减少SiO2保护膜 | 露点激活 |
| 甲烷 | 1370°C | NA | 吸附碳粒致热污染 | NA |
| N | 1370°C | 3.1 | 与SiC反应形成氮化硅绝缘层 | NA |
| Na | 1310°C | 3.8 | 侵蚀碳化硅 | 用石英管保护 |
| SO2 | 1310°C | 3.8 | 侵蚀碳化硅 | 用石英管保护 |
| 真空 | 1204°C | 3.8 | NA | NA |
| 氧 | 1310°C | 3.8 | 碳化硅被氧化 | NA |
| 水不同含量不同含量 | 1090~1370°C | 3.1-3.6 | 生成硅的水化物 | NA |
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